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| 去光阻液 Photoresist Stripper |
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PRS-4000 系列 |
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產品特性
PRS-4000 系列為具有優異之光阻剝除能力之去光阻液，適用於不易剝除之正型或負型之光阻系統。
PRS-4000 系列是以高沸點之有機溶劑為配方基礎所開發之去光阻液，兩者均具有不易揮發、高閃火點等優異特性，
使用上安全無虞。PRS-4000 系列均為無毒性之量產用藥劑，成份中均不含毒性管制物質、不含酚及鹵素基碳水化合物。
本產品亦不會對金屬（如銅、鎳、鋁等）產生腐蝕性，可100%去除光阻層，且不傷害晶片及鍍膜層、不影響元件特性。
產品規格
| 外觀 |
粉紅色透明液體 |
| 密度 |
1.00 ~ 1.10 g/cm3 |
| 沸點 |
> 160℃ |
| 溶解度 |
完全溶於水 |
製程參考條件
使用PRS-4000 系列去光阻劑剝離光阻披覆之晶片上之光阻時，操作的條件如時間和溫度的控制決定於光阻的製程如預烤溫度等。一般設定PRS-4050為55 ~ 85℃，10 ~ 30分鐘；PRS-4060為55 ~ 90℃，10 ~ 30分鐘。
製程中使用本產品剝離光阻後，須以去離子水沖洗至15 ~ 18 MΩ，即完成光阻剝除製程。
儲存條件
PRS-4000 系列去光阻劑應儲放於陰涼通風處，低於25℃。 |
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PRS-5050 |
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產品特性
PRS-5050為具有優異之光阻剝除能力之去光阻液，適用於正型或負型之光阻系統。PRS-5050是以高沸點之有機溶劑為配方基礎所配製，具有不易揮發、高閃火點等特性。PRS-5050為無毒性之量產用藥劑，不含毒性管制物質、不含酚及鹵素基碳水化合物。PRS-5050含有獨特配方，去光阻能力極佳，可100%去除光阻層，不會對金屬（如銅、鎳、鋁等）產生腐蝕性，且不傷害晶片及鍍膜層、不影響元件特性。
產品規格
| 外觀 |
無色至淡黃色透明液體 |
| 密度 |
1.00 ~ 1.10 g/cm3 |
| 沸點 |
> 160℃ |
| 溶解度 |
完全溶於水 |
製程參考條件
使用PRS-5050剝離光阻披覆之晶片上之光阻時，操作的條件如時間和溫度的控制決定於光阻的製程如預烤溫度等。一般設定為55 ~ 90℃，10 ~ 30分鐘。
使用PRS-5050剝離光阻後，使用去離子水沖洗至15 ~ 18 MΩ，即完成光阻剝除製程。
儲存條件
PRS-5050 應儲放於陰涼通風處，低於25℃。 |
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PRS-2030 / PRS-2050 |
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產品特性
PRS-2030及PRS-2050是以有機溶劑為配方基礎所配製，使用於去除正型或負型光阻之去光阻液。PRS-2030及PRS-2050為無毒性之量產用藥劑，不含毒性管制物質、不含酚及鹵素基碳水化合物。PRS-2030及PRS-2050之獨特配方可100%去除光阻層，不會對金屬（如銅、鎳、鋁等）產生腐蝕性，且不傷害晶片及鍍膜層、不影響元件特性。
產品規格
製程參考條件
使用PRS-2030及PRS-2050剝離光阻披覆之晶片上之光阻時，操作的條件如時間和溫度的控制決定於光阻的製程如預烤溫度等。一般設定為20 ~ 35℃，10 ~ 30分鐘；PRS-2050可升溫至85℃下進行光阻剝除製程。
使用PRS-2030及PRS-2050剝離光阻後，使用去離子水沖洗至15 ~ 18 MΩ，即完成光阻剝除製程。
儲存條件
PRS-2030及PRS-2050 應避免日照，並儲放於陰涼通風處，低於25℃。 |
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PV-200 系列 |
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產品特性
PV-200 系列之去光阻液為半導體級去光阻液。此系列產品具有優異之光阻剝除能力之去光阻液，
適用於正型或負型之光阻系統。特別針對 ICP 製程後之光阻去除，有著極佳的表現。PV-200 系列之去光阻液是以高沸點之有機溶劑為配方基礎所配製，
具有不易揮發、高閃火點等特性。PV-200 系列之去光阻液為無毒性之量產用藥劑，不含毒性管制物質、
不含酚及鹵素基碳水化合物。PV-200 系列之去光阻液含有獨特配方，去光阻能力極佳，
可100%去除光阻層，不會對金屬（如銅、鎳、鋁等）產生腐蝕性，且不傷害晶片及鍍膜層、
不影響元件特性。
產品規格
| 外觀 |
無色至淡黃色透明液體 |
| 密度 |
1.00 ~ 1.10 g/cm3 |
| 沸點 |
> 160℃ |
| 溶解度 |
完全溶於水 |
製程參考條件
使用 PV-200 系列之去光阻液剝離光阻披覆之晶片上之光阻時，操作的條件如時間和溫度的控制決定於光阻的製程如預烤溫度等。一般設定為60 ~ 90℃（針對部份特殊製程，亦可於室溫下操作），10 ~ 30分鐘。
使用 PV-200 系統之去光阻液剝離光阻後，使用去離子水沖洗至15 ~ 18 MΩ，即完成光阻剝除製程。
儲存條件
PV-200 系列之去光阻液應儲放於陰涼通風處，低於25℃。 |
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PV-700 系列 |
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產品特性
PV-700 系列之去光阻液為半導體級去光阻液。此系列產品具有優異之光阻剝除能力之去光阻液，
適用於正型或負型之光阻系統。特別針對 ICP 製程後之光阻去除，有著極佳的表現。PV-700 系列之去光阻液是以高沸點之有機溶劑為配方基礎所配製，
具有不易揮發、高閃火點等特性。PV-700 系列之去光阻液為無毒性之量產用藥劑，不含毒性管制物質、
不含酚及鹵素基碳水化合物。PV-700 系列之去光阻液含有獨特配方，去光阻能力極佳，
可100%去除光阻層，不會對金屬（如銅、鎳、鋁等）產生腐蝕性，且不傷害晶片及鍍膜層、
不影響元件特性。
產品規格
| 外觀 |
無色至淡黃色透明液體 |
| 密度 |
1.00 ~ 1.10 g/cm3 |
| 沸點 |
> 150℃ |
| 溶解度 |
完全溶於水 |
製程參考條件
使用 PV-700 系列之去光阻液剝離光阻披覆之晶片上之光阻時，操作的條件如時間和溫度的控制決定於光阻的製程如預烤溫度等。一般設定為65 ~ 90℃，10 ~ 30分鐘。
使用 PV-700 系統之去光阻液剝離光阻後，使用去離子水沖洗至15 ~ 18 MΩ，即完成光阻剝除製程。
儲存條件
PV-700 系列之去光阻液應儲放於陰涼通風處，低於25℃。 |
| 顯影劑 Photoresist Developer |
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PRD-2000 / PRD-2001 |
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產品特性
PRD-2000及PRD-2001是以水性溶劑為配方基礎所配製之顯影劑，可廣泛應用於半導體製程中正型或負型光阻之顯影製程。PRD-2000及PRD-2001均不含二甲苯及苯類等成份，具較低的溶解性，較不會造成光阻的膨脹，而有較佳的影像解析度。PRD-2000及PRD-2001不含毒性管制物質、亦不含鈉、鉀等金屬離子，可避免對半導體元件造成污染。PRD-2001顯影劑配方中並添加界面活性劑，應用於細線寬產品可達到最好的潤濕及顯影效果。
產品規格
| 外觀 |
無色透明液體 |
| 密度 |
0.95 ~ 1.10 g/cm3 |
| 沸點 |
ca. 100℃ |
| 溶解度 |
完全溶於水 |
製程參考條件
使用PRD-2000或PRD-2001進行光阻顯影製程時，操作的條件如時間和溫度的控制決定於光阻的種類及預烤溫度等。一般設定為20 ~ 35℃，30 ~ 300秒。
儲存條件
PRD-2000及PRD-2001 應避免日照，並儲放於陰涼通風處，低於25℃。 |
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PRD-3000 |
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產品特性
PRD-3000是以水溶性有機溶劑為配方基礎所配製之顯影劑，可廣泛應用於高階半導體製程中正型或負型光阻之顯影製程。PRD-3000不含二甲苯及苯類等成份，具較低的溶解性，較不會造成光阻的膨脹，而有較佳的影像解析度，亦不會對金屬（如銅、鎳、鋁等）產生腐蝕性。PRD-3000不含毒性管制物質、亦不含鈉、鉀等金屬離子，可避免對半導體元件造成污染。
產品規格
| 外觀 |
無色透明液體 |
| 密度 |
0.75 ~ 0.87 g/cm3 |
| 沸點 |
ca. 65℃ |
| 溶解度 |
完全溶於水 |
製程參考條件
使用PRD-3000進行光阻顯影製程時，操作的條件如時間和溫度的控制決定於光阻的種類及預烤溫度等。一般設定為20 ~ 35℃，30 ~ 300秒。此一產品應於通風櫥中操作，操作溫度不應高於45℃。
此外，為了避免對產品之銅、鎳、鋁等金屬線路產生腐蝕性，操作過程中應將產品先行旋乾或烘乾，以避免將水帶入此一顯影劑中。
儲存條件
PRD-3000 應避免日照，並儲放於陰涼通風處，低於25℃。 |
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MTET-A85 / -A95 / -A99 |
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產品特性
MTET-A85 / -A95 / -A99其為配方溶劑，適用於半導體中之金屬蝕刻製程。尤其針對金屬銅、鎳、鋁、或砷化鎵等之蝕刻的應用能達到最佳之效果。針對不同之底材或阻絕層可選用不同之產品以在蝕刻製程中達到最佳之效能表現。
產品規格
| 外觀 |
無色透明液體 |
| 密度 |
1.55 ~ 1.75 g/cm3 |
| 沸點 |
150 ~ 160℃ |
| 溶解度 |
完全溶於水 |
製程參考條件
使用MTET-A85 / -A95 / -A99進行蝕刻製程時，操作的條件如時間和溫度的控制決定於金屬層之種類及厚度等。一般設定為20 ~ 90℃，時間則須視厚度調整。
儲存條件
MTET-A85 / -A95 / -A99 應避免日照，並儲放於陰涼通風處，低於25℃。 |
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MTET-K |
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產品特性
MTET-K其為碘化鉀（KI）水溶液所調製而成之配方溶液，適用於半導體或印刷電路板產業中之金蝕刻製程。MTET-K對於電鍍金、蒸鍍金、或濺鍍金的蝕刻應用均能達到最佳之效果。
產品規格
| 外觀 |
深紫色液體 |
| 密度 |
1.00 ~ 1.12 g/cm3 |
| 沸點 |
ca. 100℃ |
| 溶解度 |
溶於水 |
製程參考條件
使用MTET-K進行蝕刻製程時，操作的條件的控制決定於金層之厚度。一般設定為20 ~ 35℃（不建議超過40℃），時間則須視厚度調整
儲存條件
MTET-K 應避免日照，並儲放於陰涼通風處，低於25℃。 |
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MTET-Cr20 |
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產品特性
MTET-Cr20其為配方溶劑，適用於半導體中之鉻金屬蝕刻製程。MTET-Cr20對於蒸鍍鉻的蝕刻或清除應用均能達到最佳之效果。
產品規格
| 外觀 |
橘黃色透明液體 |
| 密度 |
0.95 ~ 1.08 g/cm3 |
| 沸點 |
ca. 100℃ |
| 溶解度 |
完全溶於水 |
製程參考條件
使用MTET-Cr20進行蝕刻製程時，操作的條件如時間和溫度的控制決定於金屬層之種類及厚度等。一般設定為20 ~ 40℃，時間則須視厚度調整。
儲存條件
MTET-Cr20 應避免日照，並儲放於陰涼通風處，低於25℃。 |
| 金屬表面處理劑 Metal Surface Treatment Agent |
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DE-900 糸列 |
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產品特性
DE-900 系列產品其為配方溶劑，適用於半導體製程中熱固膠類或UV固化膠類之去除。DE-900 系列產品亦不含毒性管制物質，不含酚及鹵素基碳水化合物，不會對金屬（如銅、鎳、鋁等）產生腐蝕性。
產品規格
製程參考條件
使用DE-900 系列產品進行表面處理製程時，操作的條件如時間和溫度的控制決定於膠的種類及厚度等。相關資訊請與業務或工程人員洽詢。
儲存條件
DE-900 系列產品應避免日照，並儲放於陰涼通風處，低於25℃。 |
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MTA-CA100 |
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產品特性
MTA-CA100其為配方溶劑，適用於半導體中之金屬表面處理製程。MTA-CA100亦不含毒性管制物質，尤其針對銅與銀的抗氧化及抗硫化應用均能達到最佳之效果。
產品規格
| 外觀 |
無色透明液體 |
| 密度 |
0.95 ~ 1.05 g/cm3 |
| 沸點 |
ca. 100℃ |
| 溶解度 |
完全溶於水 |
製程參考條件
使用MTA-CA100進行表面處理製程時，操作的條件如時間和溫度的控制決定於金屬的種類及保護層厚度等。一般設定為30 ~ 55℃，時間則須視厚度調整。
儲存條件
MTA-CA100應避免日照，並儲放於陰涼通風處，低於25℃。 |
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MTA-S4 |
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產品特性
MTA-S4其為配方溶劑，適用於半導體中之金屬表面處理製程。MTA-S4亦不含毒性管制物質，不含酚及鹵素基碳水化合物，尤其針對光罩清洗之應用能達到最佳之效果。
產品規格
| 密度 |
> 1.0 g/cm3 |
| 沸點 |
> 100℃ |
| 溶解度 |
完全溶於水 |
製程參考條件
使用MTA-S4進行表面處理或光罩清洗製程時，操作的條件如時間和溫度的控制決定於金屬的種類或光阻污染程度等。相關資訊請與業務或工程人員洽詢。
儲存條件
MTA-S4應避免日照，並儲放於陰涼通風處，低於25℃。 |
| 其他客製化產品 Customized Products |
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本公司之產品種類齊全，客戶選擇多樣化。然為因應客戶端之特殊需求，本公司亦提供產品客製化之服務。
若客戶端有新製程或新產品之需求，在本公司之研究開發人員確認後，即可進行相關化學品或治工具之開發工作。
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地址: 324桃園市平鎮區復旦路4段135巷11號
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